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FMOSTHAGDB10DN02E-H
Type: Dual N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 20; ID (A): 10; IDSS @VDSS(V): 16: IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±8; IGSS Max.(uA): ±10; VGS(th) Min.(V): 0.4; VGS(th) Max.(V): 1; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 9.3m; RDSON1 Max.(Ω): 11.5m; RDSON1 @VGS(V): 4.5: RDSON1 @ID(A): 5; RDSON2 Typ.(Ω): 12.5m; RDSON2 Max.(Ω): 17m; RDSON2 @VGS(V): 2.5; RDSON2 @ID(A): 5; Ciss Typ.(pF): 1700; Qg Typ.(nC): 17
Product Description
Type: Dual N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 20; ID (A): 10; IDSS @VDSS(V): 16: IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±8; IGSS Max.(uA): ±10; VGS(th) Min.(V): 0.4; VGS(th) Max.(V): 1; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 9.3m; RDSON1 Max.(Ω): 11.5m; RDSON1 @VGS(V): 4.5: RDSON1 @ID(A): 5; RDSON2 Typ.(Ω): 12.5m; RDSON2 Max.(Ω): 17m; RDSON2 @VGS(V): 2.5; RDSON2 @ID(A): 5; Ciss Typ.(pF): 1700; Qg Typ.(nC): 17