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FMOSTHAGD50DN02-H
Type: Dual N MOS; BVDSS (V): 20; ID (A): 50; PD (W): 23.1; EAS (mJ): 85.5; IDSS @VDSS(V): 20: IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±12; IGSS Max.(uA): ±10; VGS(th) Min.(V): 0.4; VGS(th) Max.(V): 1; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 3.8m; RDSON1 Max.(Ω): 5m; RDSON1 @VGS(V): 4.5: RDSON1 @ID(A): 5; RDSON2 Typ.(Ω): 4.9m; RDSON2 Max.(Ω): 6.4m; RDSON2 @VGS(V): 2.5; RDSON2 @ID(A): 3; Ciss Typ.(pF): 2860; Qg Typ.(nC): 40
Product Description
Type: Dual N MOS; BVDSS (V): 20; ID (A): 50; PD (W): 23.1; EAS (mJ): 85.5; IDSS @VDSS(V): 20: IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±12; IGSS Max.(uA): ±10; VGS(th) Min.(V): 0.4; VGS(th) Max.(V): 1; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 3.8m; RDSON1 Max.(Ω): 5m; RDSON1 @VGS(V): 4.5: RDSON1 @ID(A): 5; RDSON2 Typ.(Ω): 4.9m; RDSON2 Max.(Ω): 6.4m; RDSON2 @VGS(V): 2.5; RDSON2 @ID(A): 3; Ciss Typ.(pF): 2860; Qg Typ.(nC): 40