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FMOSQ02DN10-H
Package: SOP-08; Type: Dual N MOS; BVDSS (V): 100; ID (A): 2.4; PD (W): 2.5; EAS (mJ): 0.92; IDSS @VDSS(V): 80; IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 1.2; VGS(th) Max.(V): 2.5; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 111m; RDSON1 Max.(Ω): 139m; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 2; RDSON2 Typ.(Ω): 155m; RDSON2 Max.(Ω): 195m; RDSON2 @VGS(V): 4.5; RDSON2 @ID(A): 1; Ciss Typ.(pF): 103; Qg Typ.(nC): 2.5; AEC-Q101 Qualified: No
Product Description
Package: SOP-08; Type: Dual N MOS; BVDSS (V): 100; ID (A): 2.4; PD (W): 2.5; EAS (mJ): 0.92; IDSS @VDSS(V): 80; IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 1.2; VGS(th) Max.(V): 2.5; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 111m; RDSON1 Max.(Ω): 139m; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 2; RDSON2 Typ.(Ω): 155m; RDSON2 Max.(Ω): 195m; RDSON2 @VGS(V): 4.5; RDSON2 @ID(A): 1; Ciss Typ.(pF): 103; Qg Typ.(nC): 2.5; AEC-Q101 Qualified: No