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FMOSAE0P41N06E-H
Package: T1006P3; Type: N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 60; ID (A): 0.41; PD (W): 0.275; IDSS @VDSS(V): 60; IDSS Max.(uA): 0.1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±10; VGS(th) Min.(V): 1.3; VGS(th) Max.(V): 2.3; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 1.2; RDSON1 Max.(Ω): 1.5; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 0.04; RDSON2 Typ.(Ω): 1.3; RDSON2 Max.(Ω): 1.8; RDSON2 @VGS(V): 4.5; RDSON2 @ID(A): 0.035; Ciss Typ.(pF): 41; Qg Typ.(nC): 0.72
Product Description
Package: T1006P3; Type: N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 60; ID (A): 0.41; PD (W): 0.275; IDSS @VDSS(V): 60; IDSS Max.(uA): 0.1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±10; VGS(th) Min.(V): 1.3; VGS(th) Max.(V): 2.3; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 1.2; RDSON1 Max.(Ω): 1.5; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 0.04; RDSON2 Typ.(Ω): 1.3; RDSON2 Max.(Ω): 1.8; RDSON2 @VGS(V): 4.5; RDSON2 @ID(A): 0.035; Ciss Typ.(pF): 41; Qg Typ.(nC): 0.72