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FMOSG0P8N02E-H
Package: SOT-323; Type: N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 20; ID (A): 0.55; PD (W): 0.37; IDSS @VDSS(V): 16; IDSS Max.(uA): 0.1; IGSS VGS(V): ±5; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 0.45; VGS(th) Max.(V): 0.85; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 220m; RDSON1 Max.(Ω): 260m; RDSON1 @VGS(V): 4.5; RDSON1 @ID(A): 0.55; RDSON2 Typ.(Ω): 320m; RDSON2 Max.(Ω): 380m; RDSON2 @VGS(V): 1.8; RDSON2 @ID(A): 0.35; Ciss Typ.(pF): 50; Qg Typ.(nC): 1.15; AEC-Q101 Qualified: No
Product Description
Package: SOT-323; Type: N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 20; ID (A): 0.55; PD (W): 0.37; IDSS @VDSS(V): 16; IDSS Max.(uA): 0.1; IGSS VGS(V): ±5; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 0.45; VGS(th) Max.(V): 0.85; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 220m; RDSON1 Max.(Ω): 260m; RDSON1 @VGS(V): 4.5; RDSON1 @ID(A): 0.55; RDSON2 Typ.(Ω): 320m; RDSON2 Max.(Ω): 380m; RDSON2 @VGS(V): 1.8; RDSON2 @ID(A): 0.35; Ciss Typ.(pF): 50; Qg Typ.(nC): 1.15; AEC-Q101 Qualified: No