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FMOSB195N06-H
Package: TO-263; Type: N MOS; BVDSS (V): 60; ID (A): 195; PD (W): 156; EAS (mJ): 375; IDSS @VDSS(V): 48; IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 2.2; VGS(th) Max.(V): 3.4; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 1.8m; RDSON1 Max.(Ω): 2.3m; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 20; Ciss Typ.(pF): 6035; Qg Typ.(nC): 78; AEC-Q101 Qualified: No
Product Description
Package: TO-263; Type: N MOS; BVDSS (V): 60; ID (A): 195; PD (W): 156; EAS (mJ): 375; IDSS @VDSS(V): 48; IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 2.2; VGS(th) Max.(V): 3.4; VGS(th) @ID(mA): 0.25; RDSON1 Typ.(Ω): 1.8m; RDSON1 Max.(Ω): 2.3m; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 20; Ciss Typ.(pF): 6035; Qg Typ.(nC): 78; AEC-Q101 Qualified: No