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FMOS3K50DW-H
Package: SOT-363; Type: Dual N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 50; ID (A): 0.2; PD (W): 0.2; IDSS @VDSS(V): 50; IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 0.6; VGS(th) Max.(V): 1.5; VGS(th) @ID(mA): 1; RDSON1 Typ.(Ω): 2.5; RDSON1 Max.(Ω): 3.5; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 0.2; RDSON2 Typ.(Ω): 3.1; RDSON2 Max.(Ω): 4; RDSON2 @VGS(V): 4.5; RDSON2 @ID(A): 0.2; Ciss Typ.(pF): 33; Qg Typ.(nC): 4.7; AEC-Q101 Qualified: No
Product Description
Package: SOT-363; Type: Dual N MOS; ESD: Yes; BVDSS (V): 50; ID (A): 0.2; PD (W): 0.2; IDSS @VDSS(V): 50; IDSS Max.(uA): 1; IGSS VGS(V): ±20; IGSS Max.(uA): ±0.1; VGS(th) Min.(V): 0.6; VGS(th) Max.(V): 1.5; VGS(th) @ID(mA): 1; RDSON1 Typ.(Ω): 2.5; RDSON1 Max.(Ω): 3.5; RDSON1 @VGS(V): 10; RDSON1 @ID(A): 0.2; RDSON2 Typ.(Ω): 3.1; RDSON2 Max.(Ω): 4; RDSON2 @VGS(V): 4.5; RDSON2 @ID(A): 0.2; Ciss Typ.(pF): 33; Qg Typ.(nC): 4.7; AEC-Q101 Qualified: No